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iNRCORE BMS變壓器：電池管理系統(tǒng)的關(guān)鍵組件及其應(yīng)用

2025-02-08 08:45:55

iNRCORE的 BMS 變壓器能滿足現(xiàn)代 BMS 苛刻要求，具備寬工作溫度范圍、AEC - Q200 認(rèn)證等特點(diǎn)。此外，在為應(yīng)用選擇 BMS 變壓器時(shí)，需考慮隔離要求、通信協(xié)議、大小約束、環(huán)境條件、EMI 性能、通道數(shù)以及爬電距離和電氣間隙等因素。

Statek ULPXO石英晶體振蕩器超低功耗32.768 kHz

2025-02-08 08:40:35

Statek ULPXO 振蕩器專為惡劣環(huán)境中需超低功耗且能在高沖擊水平下生存的應(yīng)用設(shè)計(jì)，由高沖擊調(diào)諧叉石英諧振器和 CMOS 兼容集成電路組成，密封于高沖擊陶瓷封裝。其主要特點(diǎn)有 5.0 x 1.8 mm 密封陶瓷封裝、超低電流消耗、高沖擊抗性達(dá) 30,000 g 等，且提供全面軍事測試，在美國設(shè)計(jì)、制造和測試。應(yīng)用于醫(yī)療（患者監(jiān)測設(shè)備）、國防與航空航天（堅(jiān)固實(shí)時(shí)時(shí)鐘）、工業(yè)（時(shí)間保持模塊）及物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。

Vishay 134D/134J/134L濕式鉭HI-TMP電容器

2025-02-08 08:37:19

Vishay 134D、134J、134L 濕式鉭 HI - TMP? 電容器是專為高沖擊和振動性能設(shè)計(jì)的高性能產(chǎn)品，采用鉭外殼和玻璃到鉭的密封技術(shù)，可在 - 55°C 至 + 200°C 極端溫度下穩(wěn)定工作，具有高電容值、低漏電流和長壽命特點(diǎn)。其特點(diǎn)包括提供多種電容值、密封設(shè)計(jì)保障惡劣環(huán)境可靠性、寬溫度范圍、多種引腳類型（134D 軸向通孔引腳、134J 和 134L 為不同類型 SMD 引腳）、符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)且有 100% 錫端子選項(xiàng)。性能特性涵蓋工作溫度、電容容差、直流漏電流及壽命測試等方面。適用于工業(yè)、石油勘探及高溫/高應(yīng)力環(huán)境等領(lǐng)域，還提供了訂購指南。

QTCH350UD92-20.000MHz高溫微型SMD晶體振蕩器

2025-02-06 09:03:30

QTCH系列晶體振蕩器支持1MHz至48MHz基本模式頻率，能在1.8Vdc至5.0Vdc寬電壓范圍工作，功耗低于3mA，工作溫度范圍為 -55oC至 +200oC。該產(chǎn)品適用于鉆井和數(shù)據(jù)記錄工具、石油服務(wù)行業(yè)等高溫環(huán)境下的電子設(shè)備。

Connor-Winfield VSM61/VSM62/VSM64 6引腳表面貼裝VCXO

2025-02-02 10:01:38

Connor-Winfield的6引腳表面貼裝VCXO提供VSM61**#、VSM62**#和VSM64**#三種型號，頻率范圍均為2MHz至100MHz，頻率穩(wěn)定性分別為±25ppm、±50ppm和±20ppm。

銅箔在ROGERS高頻電路材料中的使用

2025-02-01 10:32:11

本文介紹了Rogers公司高頻電路材料中銅箔的類型、表面粗糙度及其對性能的影響。Rogers提供多種銅箔，包括電沉積銅箔、軋制銅箔、電阻銅箔和反轉(zhuǎn)處理銅箔，以滿足不同應(yīng)用場景需求。銅箔表面粗糙度越高，導(dǎo)體損耗越大，影響信號傳輸效率。Rogers通過優(yōu)化工藝降低粗糙度，提高高頻電路性能。其高頻材料廣泛應(yīng)用于航空航天、通信等領(lǐng)域，為現(xiàn)代高頻電子技術(shù)發(fā)展提供支持。

Ampleon CLF24H4LS300P大功率晶體管

2025-01-28 10:18:55

Ampleon CLF24H4LS300P是一款300W的GaN-SiC HEMT功率晶體管，專為2400 MHz至2500 MHz頻率范圍內(nèi)的烹飪、工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療應(yīng)用設(shè)計(jì)。它具有高效率、優(yōu)秀的堅(jiān)固性和寬帶操作能力，內(nèi)部輸入匹配，無需外部匹配網(wǎng)絡(luò)，且符合RoHS合規(guī)性。在VDS = 50V，VGS = -5V，環(huán)境溫度25°C的類AB/類C應(yīng)用電路中，該晶體管在連續(xù)波(CW)條件下輸出功率為320W，增益為14dB，效率為74%；在CW脈沖條件下輸出功率為350W，增益為14dB，效率為75%。它采用SOT1214B無耳法蘭陶瓷封裝，具有良好的熱特性和電氣特性，適用于RF功率放大器。

JAN1N5195US軍用級開關(guān)二極管Microsemi

2025-01-22 08:47:23

Microsemi 1N5195是符合MIL-PRF-19500/118標(biāo)準(zhǔn)的軍用級開關(guān)二極管，認(rèn)證等級有JAN、JANTX、JANTXV 。其最大額定值（@25°C）包括工作和存儲溫度均為 -65°C至 +175°C，浪涌電流（正弦波，8.3毫秒）2A，總功率耗散500mW，最大工作電流200mA，直流反向工作電壓180V。設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)方面，采用符合MIL-PRF19500/118 DO-35輪廓的密封玻璃封裝，引線材料為銅包鋼，表面處理是錫/鉛，熱阻抗最大70°C/W，極性為帶環(huán)的陰極端。

PmTA-620-40-2.5低噪聲放大器Princeton Microwave

2025-01-22 08:42:41

Princeton Microwave PmTA-620-40-2.5低噪聲放大器頻率6 - 20 GHz，小信號增益≥40 dB，中頻段噪聲系數(shù)2.5 dB，50Ohm輸入輸出匹配，有內(nèi)部調(diào)節(jié)和偏置排序，無條件穩(wěn)定，密封模塊，工作溫度 -50°C至100°C。

RO4003C,RO4350B,RO4360G2,RO4835層壓板:高性能電路材料的介紹與應(yīng)用

2025-01-22 08:38:00

RO4000? 系列高頻電路材料是玻璃增強(qiáng)型碳?xì)浠衔锖吞沾桑ǚ荘TFE）層壓板，專為性能敏感、高容量商業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì)，能提供卓越高頻性能與低成本電路制造，可用標(biāo)準(zhǔn)FR-4工藝制造。其中RO4003C?等部分層壓板可與Ticer TCR薄膜電阻箔包覆，有特定箔厚與電阻值，1oz厚銅箔可特殊訂購。

Statek CXOXULPHT 32.768kHz表面貼裝振蕩器

2025-01-20 09:03:22

Statek CXOXULPHT 32.768 kHz振蕩器實(shí)現(xiàn)低功耗運(yùn)行，采用調(diào)諧叉設(shè)計(jì)，具備最快啟動時(shí)間與緊湊頻率穩(wěn)定性，專為超低電流（典型55 μA）和快速啟動（典型2 ms）應(yīng)用打造，能在高達(dá) +200°C高溫運(yùn)行且抗沖擊性強(qiáng)。其主要特點(diǎn)有高溫操作、超低電流、快速啟動、高沖擊抗性、低老化、CMOS輸出等多項(xiàng)優(yōu)勢，產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造于美國且提供全面軍事測試。該振蕩器適用于工業(yè)領(lǐng)域多種設(shè)備，規(guī)格參數(shù)涵蓋頻率、電源電壓、校準(zhǔn)容差、頻率穩(wěn)定性、輸出負(fù)載、老化、沖擊、振動及工作溫度范圍等多方面指標(biāo) 。

Linear Systems LS840,LS841,LS842 JFET放大器

2025-01-17 08:50:11

Linear Integrated Systems（LIS）推出的LS840、LS841、LS842是低噪聲、低漂移、低電容的單片雙N溝道JFET放大器，專為高性能模擬信號處理設(shè)計(jì)。其關(guān)鍵特性包括超低噪聲、超低漏電流、低溫度漂移、低偏移電壓、寬溫度工作范圍、高可靠性；電氣性能方面，有特定的最大電壓和電流承受能力、最大功耗，具備高跨導(dǎo)、高共模抑制比、低噪聲系數(shù)；提供TO-71、TO-78、P-DIP、SOIC等多種封裝選項(xiàng)；適用于音頻放大、精密測量設(shè)備、傳感器信號調(diào)理等高精度高可靠性應(yīng)用。

Vishay 109D系列濕式鉭電容器

2025-01-16 08:48:27

Vishay 109D系列濕式鉭電容器是面向工業(yè)、汽車和電信應(yīng)用設(shè)計(jì)的高性能電容器，采用燒結(jié)陽極TANTALEX?技術(shù)，有軸向通孔引腳，提供標(biāo)準(zhǔn)錫/鉛（SnPb）和100%錫（符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)）兩種端子選項(xiàng)，能在 -55°C至 +125°C寬溫度范圍穩(wěn)定工作，還給出了應(yīng)用領(lǐng)域及訂購指南 。

JANTX1N5552軍級標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù)整流二極管Microsemi 現(xiàn)貨供應(yīng)

2025-01-13 08:58:58

Microsemi公司生產(chǎn)的軍用級別標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù)整流二極管JANTX1N5552，屬JEDEC注冊的1N5550至1N5554系列，適用于高可靠性應(yīng)用場合。其性能參數(shù)涵蓋結(jié)點(diǎn)和存儲溫度、熱阻等多項(xiàng)指標(biāo)。主要特點(diǎn)有密封玻璃封裝、四層鈍化技術(shù)、內(nèi)部冶金鍵合，符合軍用標(biāo)準(zhǔn)且有RoHS合規(guī)商業(yè)級版本，是標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù)5A整流器，具備高前向浪涌電流能力等多種優(yōu)勢。應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，包括軍事、航空等需要高可靠性整流方案及一般整流器應(yīng)用場景。封裝類型有通孔封裝和表面貼裝封裝 。

L1807：Focus Microwaves高性能0.7-18GHz諧波調(diào)諧器

2025-01-10 08:34:30

L1807調(diào)諧器采用Focus Microwaves專利技術(shù)M（Multi-purpose tuners），用兩個寬頻帶探頭可同時(shí)獨(dú)立控制兩個諧波頻率反射系數(shù)的幅度和相位，廣泛應(yīng)用于高功率/效率射頻放大器設(shè)計(jì)等高級應(yīng)用，能控制諧波阻抗生成穩(wěn)健晶體管行為模型、幫助了解設(shè)備表現(xiàn)，還可預(yù)匹配阻抗、降低驅(qū)動負(fù)載功率；其頻率范圍0.7 - 18GHz，連接器為N型、APC-7，有相應(yīng)高電壓駐波比、諧波調(diào)優(yōu)駐波比等參數(shù)，最大功率427W，重復(fù)性最小-40dB/典型-50dB，重57lbs，尺寸29.081*27.400，另有性能圖表。

QTCV576LDK2-50.000MHz低輪廓5x7mm微型SMD電壓控制晶振

2025-01-09 09:04:14

Q-TECH生產(chǎn)的QTCV576系列是低輪廓的5 x 7mm微型SMD VCXOs，頻率范圍1.000MHz - 156.250MHz，采用陶瓷封裝、鍍金接觸墊，支持多種邏輯類型，供電電壓有3.3Vdc和5.0Vdc，工作溫度-40oC至+85oC，有三態(tài)輸出，提供基本模式和第三泛音設(shè)計(jì)，可進(jìn)行軍事篩選測試且環(huán)保合規(guī)；應(yīng)用于低電壓設(shè)備、軍用彈藥系統(tǒng)、儀器設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)同步及微處理器時(shí)鐘等領(lǐng)域，還有訂購信息。

DELTA HCME1211F電感器

2025-01-09 08:58:16

DELTA HCME1211F電感器

Microsemi 1N4148UBD軍用級開關(guān)信號二極管

2025-01-08 08:48:11

Microsemi 1N4148UB是符合MIL-PRF-19500/116標(biāo)準(zhǔn)的軍用級開關(guān)/信號二極管，采用陶瓷體結(jié)構(gòu)、表面貼裝UB封裝，具有低電容、開關(guān)速度快等特性，提供多種極性且有JAN、JANTX和JANTXV級別認(rèn)證并符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)；適用于高頻數(shù)據(jù)線、RS-232和RS-422接口網(wǎng)絡(luò)等多種應(yīng)用；有明確的最大額定值（如結(jié)點(diǎn)和存儲溫度-65至+200°C等）和電氣特性（如正向電壓、反向恢復(fù)時(shí)間等）；機(jī)械方面外殼為陶瓷，端子為鎳底層上的金鍍層，重量小于0.04克。

Connor-Winfield PB223低抖動LVPECL時(shí)鐘振蕩器

2025-01-08 08:42:17

Connor-Winfield PBxxx系列是5.0x7.0mm表面貼裝、LVPECL輸出邏輯、固定頻率晶體控制振蕩器(XO)，3.3V供電，有使能/禁用功能，適用于需緊密頻率穩(wěn)定性、寬溫范圍和低抖動應(yīng)用；輸出頻率122.88 - 170 MHz，不同型號總頻率容差、操作溫度范圍有別，頻率與供電電壓關(guān)系為±0.5 ppm，供電電流40 - 50 mA，抖動、啟動時(shí)間有具體指標(biāo)，絕對最大額定值涉及存儲溫度等；具備多種特性，如3.3Vdc操作、低抖動等，且符合RoHS合規(guī)/無鉛，可用于以太網(wǎng)參考時(shí)鐘、高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換等，還有訂購指南。

Renesas R7FS7G27H2A01CBD微控制器: 240MHz Arm Cortex-M4處理器

2025-01-07 09:51:30

Renesas S7G2微控制器組是高性能微控制器，核心性能強(qiáng)，搭載240 MHz的Arm Cortex-M4核心等；內(nèi)存豐富，有多種類型及相關(guān)功能；連接性佳，配備多種接口；模擬功能、定時(shí)器多樣；支持多種加密算法保障安全；具備系統(tǒng)和電源管理功能；有人機(jī)界面相關(guān)功能；多時(shí)鐘源；通用I/O端口多達(dá)172個；工作電壓2.7至3.6 V，工作溫度范圍為 -40°C至+85°C或 -40°C至+105°C，有多種封裝選項(xiàng)，適用于高性能、計(jì)算密集型、網(wǎng)絡(luò)控制等多種應(yīng)用 。